Hal ini bukan angan-angan saja, sebab peneliti di Rice University, Amerika Serikat telah mengembangkan sebuah chip yang mampu memiliki ruang penyimpanan sampai terabyte.
Melansir Technologyreview, Kamis 24 Juli 2014, peneliti mengembangkan memori jenis resistive random access memory (RRAM). Memang sudah ada beberapa perusahaan yang mengembangkan RRAM.
Namun, selama ini fabrikasi pengembangan memori super itu membutuhkan tegangan dan suhu tinggi. Hal ini membuat proses produksi sulit dan membuat harga akhir memori menjadi mahal.
Nah, di tangan peneliti Rice University membuat efisiensi. RRAM didesain pada suhu dan tegangan yang lebih rendah. RRAM bekerja seperti halnya memori flash, yang dapat menyimpan data tanpa pasokan listrik terus menerus.
Peneliti merekayasa ruang memori agar lebih efektif dan optimal untuk penyimpanan, sehingga tak heran dengan ukuran chip sebesar perangko, mampu memberikan kapasitas penyimpanan sampai terabyte.
"Kenapa Anda tidak memiliki semua film yang Anda suka di iPhone? Ini bukanlah sesuatu tak Anda inginkan, itu karena Anda tak memiliki ruang," ujar James Tour, profesor Teknik Material Rice University.
Disebutkan, kunci teknologi memori super ini adalah lapisan silikon dioksida yang penuh dengan lubang kecil masing-masing lebarnya 5 nanometer. Lapisan berpori ini terjepit di antara dua lapisan tipis berlogam, yang berfungsi sebagai elektroda.
Saat sebuah tegangan dialirkan, mengakibatkan logam bermigrasi ke dalam lubang membentuk sambungan listrik antara elektroda. Penggunaan silikon juga membuat daya yang dibutuhkan lebih rendah dan artinya tak terganggu dengan panas.
Memori besutan peneliti universitas itu juga lebih padat dari RRAM versi sebelumnya. Disebutkan versi peneliti, memori menyimpan 9 bit per sel, sedangkan untuk memori flash konvensional hanya menyimpan 3 bit per sel.
Tour mengatakan, tim peneliti mengharapkan mencapai kesepakatan dengan produsen dalam dua pekan mendatang. Tapi, Tour enggan menyebutkan nama perusahaan. (art)
Tidak ada komentar:
Posting Komentar